Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPC90R500C3X1SA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4667227

IPC90R500C3X1SA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
6462+
$2.112
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPC90R500C3X1SA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH BARE DIE
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Серии
    *
  • Другие названия
    SP000469914
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
IPCAP-1316

IPCAP-1316

Описание: SEALING CAP 13/16 28UN

Производители: Cannon
Быть в наличии
IPC80N04S403ATMA1

IPC80N04S403ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 8TDSON

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPC95R1K2P7X7SA1

IPC95R1K2P7X7SA1

Описание: MOSFET N-CH BARE DIE

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPC90R120C3X1SA1

IPC90R120C3X1SA1

Описание: MOSFET N-CH BARE DIE

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPC95R450P7X7SA1

IPC95R450P7X7SA1

Описание: MOSFET N-CH BARE DIE

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPC65R080CFDX1SA1

IPC65R080CFDX1SA1

Описание: MOSFET N-CH BARE DIE

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPC90R340C3X1SA1

IPC90R340C3X1SA1

Описание: MOSFET N-CH BARE DIE

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPC90R1K2C3X1SA1

IPC90R1K2C3X1SA1

Описание: MOSFET N-CH BARE DIE

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPCBP76

IPCBP76

Описание: PANEL BOTTOM 27.5X22.25" WHITE

Производители: Hammond Manufacturing
Быть в наличии
IPC90R800C3X1SA1

IPC90R800C3X1SA1

Описание: MOSFET N-CH BARE DIE

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPC95R750P7X7SA1

IPC95R750P7X7SA1

Описание: MOSFET N-CH BARE DIE

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPC90N04S53R6ATMA1

IPC90N04S53R6ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPCBP78

IPCBP78

Описание: PANEL BOTTOM 27.5X22.25" WHITE

Производители: Hammond Manufacturing
Быть в наличии
IPC70N04S54R6ATMA1

IPC70N04S54R6ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPC90N04S5L3R3ATMA1

IPC90N04S5L3R3ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPCAPM-1316

IPCAPM-1316

Описание: SEALING CAP 13/16 28UN MTL

Производители: Cannon
Быть в наличии
IPC90R1K0C3X1SA1

IPC90R1K0C3X1SA1

Описание: MOSFET N-CH BARE DIE

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPCBP86

IPCBP86

Описание: PANEL BOTTOM 27.5X25.75" WHITE

Производители: Hammond Manufacturing
Быть в наличии
IPC70N04S5L4R2ATMA1

IPC70N04S5L4R2ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPCAP-3PT

IPCAP-3PT

Описание: SEALING CAP, BAYONET

Производители: Cannon
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти