Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPD05N03LB G
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2417732IPD05N03LB G Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD05N03LB G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPD05N03LB G
  • Изготовитель / Производитель
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    IPD05N03LB G.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2V @ 40µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO252-3
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8 mOhm @ 60A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    94W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Другие названия
    IPD05N03LB G-ND
    IPD05N03LBG
    IPD05N03LBGXT
    SP000016410
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    3200pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    25nC @ 5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    90A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с IPD05N03LB G.
IPD06N03LA G

IPD06N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD060N03LGATMA1

IPD060N03LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD053N08N3GBTMA1

IPD053N08N3GBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD06N03LB G

IPD06N03LB G

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD04N03LA G

IPD04N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD05N03LA G

IPD05N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD075N03LGATMA1

IPD075N03LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD075N03LGBTMA1

IPD075N03LGBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD050N03LGBTMA1

IPD050N03LGBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD053N06NATMA1

IPD053N06NATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD050N03LGATMA1

IPD050N03LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD068N10N3GATMA1

IPD068N10N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 90A

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD053N08N3GATMA1

IPD053N08N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD068P03L3GBTMA1

IPD068P03L3GBTMA1

Описание: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD068N10N3GBTMA1

IPD068N10N3GBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1

Описание: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD04N03LB G

IPD04N03LB G

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD050N10N5ATMA1

IPD050N10N5ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD060N03LGBTMA1

IPD060N03LGBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD053N06N3GBTMA1

IPD053N06N3GBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.