Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPD079N06L3GBTMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4300869IPD079N06L3GBTMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD079N06L3GBTMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2500+
$0.463
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPD079N06L3GBTMA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.2V @ 34µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO252-3
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.9 mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    79W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Другие названия
    IPD079N06L3 G
    IPD079N06L3 G-ND
    IPD079N06L3 GTR-ND
    IPD079N06L3G
    IPD079N06L3GBTMA1TR
    SP000453626
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    4900pF @ 30V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    29nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    60V
  • Подробное описание
    N-Channel 60V 50A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    50A (Tc)
IPD088N04LGBTMA1

IPD088N04LGBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD060N03LGBTMA1

IPD060N03LGBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD060N03LGATMA1

IPD060N03LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD068N10N3GATMA1

IPD068N10N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 90A

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD082N10N3GATMA1

IPD082N10N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD068N10N3GBTMA1

IPD068N10N3GBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD090N03LGBTMA1

IPD090N03LGBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 40A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD068P03L3GBTMA1

IPD068P03L3GBTMA1

Описание: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD096N08N3GBTMA1

IPD096N08N3GBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD090N03LGATMA1

IPD090N03LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD06N03LB G

IPD06N03LB G

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD096N08N3GATMA1

IPD096N08N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 73A

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1

Описание: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD09N03LB G

IPD09N03LB G

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD082N10N3GBTMA1

IPD082N10N3GBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD075N03LGBTMA1

IPD075N03LGBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD075N03LGATMA1

IPD075N03LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD06N03LA G

IPD06N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD09N03LA G

IPD09N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD088N06N3GBTMA1

IPD088N06N3GBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти