Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPD110N12N3GATMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3574669IPD110N12N3GATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD110N12N3GATMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$2.32
10+
$2.094
100+
$1.683
500+
$1.309
1000+
$1.084
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPD110N12N3GATMA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3V @ 83µA (Typ)
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO252-3
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 75A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    136W (Tc)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Другие названия
    IPD110N12N3GATMA1CT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    4310pF @ 60V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    120V
  • Подробное описание
    N-Channel 120V 75A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    75A (Tc)
IPD100N04S402ATMA1

IPD100N04S402ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD122N10N3GBTMA1

IPD122N10N3GBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD10N03LA G

IPD10N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD105N03LGATMA1

IPD105N03LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD1-25-S-R

IPD1-25-S-R

Описание: MINI-POWER CONNECTOR

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
IPD105N04LGBTMA1

IPD105N04LGBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD12N03LB G

IPD12N03LB G

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 59A

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD110N12N3GBUMA1

IPD110N12N3GBUMA1

Описание: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD100N06S403ATMA1

IPD100N06S403ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD12CNE8N G

IPD12CNE8N G

Описание: MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD127N06LGBTMA1

IPD127N06LGBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD135N03LGATMA1

IPD135N03LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD100N06S403ATMA2

IPD100N06S403ATMA2

Описание: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD1-25-S-K-R

IPD1-25-S-K-R

Описание: MINI-POWER CONNECTOR

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
IPD12CN10NGBUMA1

IPD12CN10NGBUMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD10N03LA

IPD10N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD100N04S4L02ATMA1

IPD100N04S4L02ATMA1

Описание: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD135N03LGBTMA1

IPD135N03LGBTMA1

Описание: LV POWER MOS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD12CN10NGATMA1

IPD12CN10NGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти