Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPD14N06S280ATMA2
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5230748IPD14N06S280ATMA2 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD14N06S280ATMA2

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2500+
$0.303
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPD14N06S280ATMA2
  • Изготовитель / Производитель
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    IPD14N06S280ATMA2.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 14µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO252-3-11
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 7A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    47W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Другие названия
    SP001063642
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    293pF @ 25V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    55V
  • Подробное описание
    N-Channel 55V 17A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    17A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с IPD14N06S280ATMA2.
IPD15N06S2L64ATMA2

IPD15N06S2L64ATMA2

Описание: N-CHANNEL_55/60V

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD15N06S2L64ATMA1

IPD15N06S2L64ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD180N10N3GBTMA1

IPD180N10N3GBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD160N04LGBTMA1

IPD160N04LGBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD135N03LGBTMA1

IPD135N03LGBTMA1

Описание: LV POWER MOS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD135N03LGATMA1

IPD135N03LGATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD135N03LGXT

IPD135N03LGXT

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD16CN10N G

IPD16CN10N G

Описание: MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD14N06S280ATMA1

IPD14N06S280ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD144N06NGBTMA1

IPD144N06NGBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD180N10N3GATMA1

IPD180N10N3GATMA1

Описание: MV POWER MOS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD12CNE8N G

IPD12CNE8N G

Описание: MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD12N03LB G

IPD12N03LB G

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD200N15N3GBTMA1

IPD200N15N3GBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD170N04NGBTMA1

IPD170N04NGBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD16CNE8N G

IPD16CNE8N G

Описание: MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD135N08N3GBTMA1

IPD135N08N3GBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD135N08N3GATMA1

IPD135N08N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 45A

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD200N15N3GATMA1

IPD200N15N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD13N03LA G

IPD13N03LA G

Описание: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.