Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPD30N06S2L13ATMA4
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2054459IPD30N06S2L13ATMA4 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD30N06S2L13ATMA4

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.40
10+
$1.24
100+
$0.98
500+
$0.76
1000+
$0.60
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPD30N06S2L13ATMA4
  • Изготовитель / Производитель
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    IPD30N06S2L13ATMA4.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2V @ 80µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO252-3-11
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13 mOhm @ 30A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    136W (Tc)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Другие названия
    IPD30N06S2L13ATMA4CT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1800pF @ 25V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    69nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    55V
  • Подробное описание
    N-Channel 55V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    30A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с IPD30N06S2L13ATMA4.
IPD30N06S2L23ATMA3

IPD30N06S2L23ATMA3

Описание: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD320N20N3GATMA1

IPD320N20N3GATMA1

Описание: MOSFET N-CH 200V 34A

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD30N06S4L23ATMA2

IPD30N06S4L23ATMA2

Описание: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD30N03S4L14ATMA1

IPD30N03S4L14ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD30N10S3L34ATMA1

IPD30N10S3L34ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2L-13

Описание: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD30N06S4L23ATMA1

IPD30N06S4L23ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD30N06S2L23ATMA1

IPD30N06S2L23ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD30N06S2-15

IPD30N06S2-15

Описание: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD30N12S3L31ATMA1

IPD30N12S3L31ATMA1

Описание: MOSFET N-CHANNEL_100+

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD30N03S2L20ATMA1

IPD30N03S2L20ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD30N06S223ATMA1

IPD30N06S223ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD30N08S222ATMA1

IPD30N08S222ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD30N03S2L07ATMA1

IPD30N03S2L07ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD30N06S215ATMA2

IPD30N06S215ATMA2

Описание: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD30N08S2L21ATMA1

IPD30N08S2L21ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD30N06S223ATMA2

IPD30N06S223ATMA2

Описание: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD30N03S4L09ATMA1

IPD30N03S4L09ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD320N20N3GBTMA1

IPD320N20N3GBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD30N03S2L10ATMA1

IPD30N03S2L10ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.