Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPD50N06S4L12ATMA2
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6873601IPD50N06S4L12ATMA2 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD50N06S4L12ATMA2

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.04
10+
$0.91
100+
$0.702
500+
$0.52
1000+
$0.416
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPD50N06S4L12ATMA2
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.2V @ 20µA
  • Vgs (макс.)
    ±16V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO252-3-11
  • Серии
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    50W (Tc)
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Другие названия
    IPD50N06S4L12ATMA2DKR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    2890pF @ 25V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    60V
  • Подробное описание
    N-Channel 60V 50A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    50A (Tc)
IPD50N06S409ATMA2

IPD50N06S409ATMA2

Описание: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50N06S409ATMA1

IPD50N06S409ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50R280CEATMA1

IPD50R280CEATMA1

Описание: MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50N06S4L08ATMA1

IPD50N06S4L08ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50N06S2L13ATMA2

IPD50N06S2L13ATMA2

Описание: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50R280CEAUMA1

IPD50R280CEAUMA1

Описание: MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50R1K4CEBTMA1

IPD50R1K4CEBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50R1K4CEAUMA1

IPD50R1K4CEAUMA1

Описание: MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50N04S4L08ATMA1

IPD50N04S4L08ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50N12S3L15ATMA1

IPD50N12S3L15ATMA1

Описание: MOSFET N-CHANNEL_100+

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50P03P4L11ATMA1

IPD50P03P4L11ATMA1

Описание: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50N06S214ATMA1

IPD50N06S214ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50N06S4L08ATMA2

IPD50N06S4L08ATMA2

Описание: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50N08S413ATMA1

IPD50N08S413ATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50P04P4L11ATMA1

IPD50P04P4L11ATMA1

Описание: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50P04P413ATMA1

IPD50P04P413ATMA1

Описание: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50N10S3L16ATMA1

IPD50N10S3L16ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50N06S214ATMA2

IPD50N06S214ATMA2

Описание: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50N06S2L13ATMA1

IPD50N06S2L13ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50N06S4L12ATMA1

IPD50N06S4L12ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти