Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPD50R280CEBTMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6678735IPD50R280CEBTMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD50R280CEBTMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2500+
$0.615
5000+
$0.584
12500+
$0.562
25000+
$0.544
62500+
$0.527
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPD50R280CEBTMA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3.5V @ 350µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO252-3
  • Серии
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    280 mOhm @ 4.2A, 13V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    92W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Другие названия
    IPD50R280CE
    IPD50R280CEBTMA1TR
    IPD50R280CEINTR
    IPD50R280CEINTR-ND
    SP000992082
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    773pF @ 100V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    32.6nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    Super Junction
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    13V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    500V
  • Подробное описание
    N-Channel 500V 13A (Tc) 92W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    13A (Tc)
IPD50R380CEATMA1

IPD50R380CEATMA1

Описание: MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50N10S3L16ATMA1

IPD50N10S3L16ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50R3K0CEBTMA1

IPD50R3K0CEBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50R280CEAUMA1

IPD50R280CEAUMA1

Описание: MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50P04P4L11ATMA1

IPD50P04P4L11ATMA1

Описание: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50R399CP

IPD50R399CP

Описание: MOSFET N-CH 550V 9A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50P04P413ATMA1

IPD50P04P413ATMA1

Описание: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50N08S413ATMA1

IPD50N08S413ATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50R380CEAUMA1

IPD50R380CEAUMA1

Описание: MOSFET NCH 500V 14.1A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50R2K0CEBTMA1

IPD50R2K0CEBTMA1

Описание: CONSUMER

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50R280CEATMA1

IPD50R280CEATMA1

Описание: MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50R1K4CEAUMA1

IPD50R1K4CEAUMA1

Описание: MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50R380CEBTMA1

IPD50R380CEBTMA1

Описание: MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50R2K0CEAUMA1

IPD50R2K0CEAUMA1

Описание: MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50N12S3L15ATMA1

IPD50N12S3L15ATMA1

Описание: MOSFET N-CHANNEL_100+

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50P03P4L11ATMA1

IPD50P03P4L11ATMA1

Описание: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50R3K0CEAUMA1

IPD50R3K0CEAUMA1

Описание: MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50R399CPATMA1

IPD50R399CPATMA1

Описание: LOW POWER_LEGACY

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50R399CPBTMA1

IPD50R399CPBTMA1

Описание: LOW POWER_LEGACY

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD50R1K4CEBTMA1

IPD50R1K4CEBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти