Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPD60R3K4CEAUMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6889032

IPD60R3K4CEAUMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2500+
$0.185
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPD60R3K4CEAUMA1
  • Изготовитель / Производитель
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 650V 2.6A TO252-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    IPD60R3K4CEAUMA1.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3.5V @ 40µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO252-3
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.4 Ohm @ 500mA, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    29W (Tc)
  • Упаковка /
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Другие названия
    SP001422856
  • Рабочая Температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    93pF @ 100V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    4.6nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    650V
  • Подробное описание
    N-Channel 650V 2.6A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    2.6A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с IPD60R3K4CEAUMA1.
IPD60R385CPATMA1

IPD60R385CPATMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 9A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R380E6BTMA1

IPD60R380E6BTMA1

Описание: MOSFET NCH 600V 10.6A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R3K3C6ATMA1

IPD60R3K3C6ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R450E6BTMA1

IPD60R450E6BTMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R380P6BTMA1

IPD60R380P6BTMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 3TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R400CEAUMA1

IPD60R400CEAUMA1

Описание: CONSUMER

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R460CEAUMA1

IPD60R460CEAUMA1

Описание: CONSUMER

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R385CPBTMA1

IPD60R385CPBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 9A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R450E6ATMA1

IPD60R450E6ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R460CEATMA1

IPD60R460CEATMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R380C6

IPD60R380C6

Описание: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R380C6ATMA1

IPD60R380C6ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R380P6ATMA1

IPD60R380P6ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V DPAK-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R520C6ATMA1

IPD60R520C6ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R380E6ATMA2

IPD60R380E6ATMA2

Описание: MOSFET NCH 600V 10.6A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R520C6BTMA1

IPD60R520C6BTMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R3K3C6

IPD60R3K3C6

Описание: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R520CPATMA1

IPD60R520CPATMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R400CEATMA1

IPD60R400CEATMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R520CPBTMA1

IPD60R520CPBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.