Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPD60R750E6BTMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4846497IPD60R750E6BTMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD60R750E6BTMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPD60R750E6BTMA1
  • Изготовитель / Производитель
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    IPD60R750E6BTMA1.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3.5V @ 170µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO252-3
  • Серии
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    750 mOhm @ 2A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    48W (Tc)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Другие названия
    IPD60R750E6BTMA1CT
    IPD60R750E6CT
    IPD60R750E6CT-ND
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    373pF @ 100V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    17.2nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    600V
  • Подробное описание
    N-Channel 600V 5.7A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    5.7A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с IPD60R750E6BTMA1.
IPD65R1K4CFDATMA1

IPD65R1K4CFDATMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R600P7ATMA1

IPD60R600P7ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R600P7SAUMA1

IPD60R600P7SAUMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R650CEBTMA1

IPD60R650CEBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 7A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R600E6ATMA1

IPD60R600E6ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R600P6ATMA1

IPD60R600P6ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R750E6ATMA1

IPD60R750E6ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R950C6ATMA1

IPD60R950C6ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD640N06LGBTMA1

IPD640N06LGBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 18A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R600P6

IPD60R600P6

Описание: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD64CN10N G

IPD64CN10N G

Описание: MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD65R1K0CEAUMA1

IPD65R1K0CEAUMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R650CEATMA1

IPD60R650CEATMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R650CEAUMA1

IPD60R650CEAUMA1

Описание: CONSUMER

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R600E6

IPD60R600E6

Описание: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD65R1K4C6ATMA1

IPD65R1K4C6ATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD65R190C7ATMA1

IPD65R190C7ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 13A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R800CEATMA1

IPD60R800CEATMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V TO-252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R950C6

IPD60R950C6

Описание: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD60R800CEAUMA1

IPD60R800CEAUMA1

Описание: CONSUMER

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.