Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPD65R380E6ATMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1033561IPD65R380E6ATMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD65R380E6ATMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2500+
$0.898
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPD65R380E6ATMA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3.5V @ 320µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO252-3
  • Серии
    CoolMOS™ E6
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    380 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    83W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Другие названия
    SP001117736
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    710pF @ 100V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    39nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    650V
  • Подробное описание
    N-Channel 650V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    10.6A (Tc)
IPD65R650CEATMA1

IPD65R650CEATMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD65R600E6ATMA1

IPD65R600E6ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD65R225C7ATMA1

IPD65R225C7ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD65R380C6BTMA1

IPD65R380C6BTMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD65R250C6XTMA1

IPD65R250C6XTMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD65R420CFDATMA1

IPD65R420CFDATMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD65R420CFDAATMA1

IPD65R420CFDAATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD65R1K4CFDATMA1

IPD65R1K4CFDATMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD65R1K4CFDBTMA1

IPD65R1K4CFDBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD65R1K5CEAUMA1

IPD65R1K5CEAUMA1

Описание: MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD65R400CEAUMA1

IPD65R400CEAUMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD65R600E6BTMA1

IPD65R600E6BTMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD65R420CFDBTMA1

IPD65R420CFDBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD65R380E6BTMA1

IPD65R380E6BTMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD65R1K0CEAUMA1

IPD65R1K0CEAUMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD65R600C6BTMA1

IPD65R600C6BTMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD65R600C6ATMA1

IPD65R600C6ATMA1

Описание: LOW POWER_LEGACY

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD65R250E6XTMA1

IPD65R250E6XTMA1

Описание: MOSFET N-CH TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD65R380C6ATMA1

IPD65R380C6ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD65R1K4C6ATMA1

IPD65R1K4C6ATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти