Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPD70N12S311ATMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5019619

IPD70N12S311ATMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2500+
$0.849
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPD70N12S311ATMA1
  • Изготовитель / Производитель
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 120V 70A TO252-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    IPD70N12S311ATMA1.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 83µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO252-3-11
  • Серии
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.1 mOhm @ 70A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    125W (Tc)
  • Упаковка /
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Другие названия
    SP001400108
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    4355pF @ 25V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    120V
  • Подробное описание
    N-Channel 120V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    70A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с IPD70N12S311ATMA1.
IPD70P04P409ATMA1

IPD70P04P409ATMA1

Описание: MOSFET P-CH TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD70R600CEAUMA1

IPD70R600CEAUMA1

Описание: MOSFET N-CH TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD70P04P4L08ATMA1

IPD70P04P4L08ATMA1

Описание: MOSFET P-CH TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD70R1K4P7SAUMA1

IPD70R1K4P7SAUMA1

Описание: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD70N03S4L04ATMA1

IPD70N03S4L04ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD65R950C6ATMA1

IPD65R950C6ATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD70N10S312ATMA1

IPD70N10S312ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD70N04S3-07

IPD70N04S3-07

Описание: MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD65R950CFDATMA1

IPD65R950CFDATMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD70R900P7SAUMA1

IPD70R900P7SAUMA1

Описание: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD65R950CFDBTMA1

IPD65R950CFDBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD65R660CFDAATMA1

IPD65R660CFDAATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD70R1K4CEAUMA1

IPD70R1K4CEAUMA1

Описание: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD70R360P7SAUMA1

IPD70R360P7SAUMA1

Описание: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD65R660CFDATMA1

IPD65R660CFDATMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 6A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD70N12S3L12ATMA1

IPD70N12S3L12ATMA1

Описание: MOSFET N-CHANNEL_100+

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD70R2K0CEAUMA1

IPD70R2K0CEAUMA1

Описание: MOSFET N-CH TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD70N10S3L12ATMA1

IPD70N10S3L12ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD70R600P7SAUMA1

IPD70R600P7SAUMA1

Описание: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPD65R660CFDBTMA1

IPD65R660CFDBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 6A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.