Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPD80R1K4CEBTMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4110528IPD80R1K4CEBTMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD80R1K4CEBTMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.13
10+
$1.009
100+
$0.787
500+
$0.65
1000+
$0.513
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPD80R1K4CEBTMA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3.9V @ 240µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    TO-252-3
  • Серии
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    63W (Tc)
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Другие названия
    IPD80R1K4CEBTMA1CT
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    570pF @ 100V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    800V
  • Подробное описание
    N-Channel 800V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-252-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    3.9A (Tc)
IPD800N06NGBTMA1

IPD800N06NGBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 16A TO-252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD80R450P7ATMA1

IPD80R450P7ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 800V 11A DPAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD80R2K0P7ATMA1

IPD80R2K0P7ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD80R2K4P7ATMA1

IPD80R2K4P7ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD80N06S3-09

IPD80N06S3-09

Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD80R280P7ATMA1

IPD80R280P7ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 800V 17A TO252

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD80N04S306BATMA1

IPD80N04S306BATMA1

Описание: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD80R1K0CEBTMA1

IPD80R1K0CEBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD80R360P7ATMA1

IPD80R360P7ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD80R3K3P7ATMA1

IPD80R3K3P7ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD80P03P4L07ATMA1

IPD80P03P4L07ATMA1

Описание: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD80R2K8CEBTMA1

IPD80R2K8CEBTMA1

Описание: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD80R2K7C3AATMA1

IPD80R2K7C3AATMA1

Описание: MOSFET N-CH TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD80R1K4CEATMA1

IPD80R1K4CEATMA1

Описание: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD80R1K0CEATMA1

IPD80R1K0CEATMA1

Описание: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD80N04S306ATMA1

IPD80N04S306ATMA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD80R2K8CEATMA1

IPD80R2K8CEATMA1

Описание: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPD78CN10NGBUMA1

IPD78CN10NGBUMA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти