Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPI041N12N3GAKSA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1827270IPI041N12N3GAKSA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI041N12N3GAKSA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
500+
$3.59
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPI041N12N3GAKSA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 270µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO262-3
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.1 mOhm @ 100A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    300W (Tc)
  • упаковка
    Tube
  • Упаковка /
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Другие названия
    IPI041N12N3 G
    IPI041N12N3 G-ND
    IPI041N12N3G
    SP000652748
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    13800pF @ 60V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    211nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    120V
  • Подробное описание
    N-Channel 120V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    120A (Tc)
IPI040N06N3GXKSA1

IPI040N06N3GXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 90A

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI045N10N3GXK

IPI045N10N3GXK

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI032N06N3 G

IPI032N06N3 G

Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI034NE7N3 G

IPI034NE7N3 G

Описание: MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI030N10N3GXKSA1

IPI030N10N3GXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI037N08N3GXKSA1

IPI037N08N3GXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 100A

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI051N15N5AKSA1

IPI051N15N5AKSA1

Описание: MV POWER MOS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI037N08N3GHKSA1

IPI037N08N3GHKSA1

Описание: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI057N08N3 G

IPI057N08N3 G

Описание: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI052NE7N3 G

IPI052NE7N3 G

Описание: MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI05N03LA

IPI05N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI045N10N3GXKSA1

IPI045N10N3GXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI04N03LA

IPI04N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A TO-262

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI05CN10N G

IPI05CN10N G

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI04CN10N G

IPI04CN10N G

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI032N06N3GAKSA1

IPI032N06N3GAKSA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 120A

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI03N03LA

IPI03N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI037N06L3GHKSA1

IPI037N06L3GHKSA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI06CN10N G

IPI06CN10N G

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI040N06N3GHKSA1

IPI040N06N3GHKSA1

Описание: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти