Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPI076N12N3GAKSA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5214285IPI076N12N3GAKSA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI076N12N3GAKSA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
500+
$1.929
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPI076N12N3GAKSA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 130µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO262-3
  • Серии
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.6 mOhm @ 100A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    188W (Tc)
  • упаковка
    Tube
  • Упаковка /
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Другие названия
    IPI076N12N3 G
    IPI076N12N3 G-ND
    IPI076N12N3G
    SP000652738
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    6640pF @ 60V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    101nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    120V
  • Подробное описание
    N-Channel 120V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    100A (Tc)
IPI08CN10N G

IPI08CN10N G

Описание: MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI100N06S3-04

IPI100N06S3-04

Описание: MOSFET N-CH 55V 100A TO-262

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI086N10N3GXKSA1

IPI086N10N3GXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI100N06S3-03

IPI100N06S3-03

Описание: MOSFET N-CH 55V 100A I2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI070N08N3 G

IPI070N08N3 G

Описание: MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI072N10N3GXKSA1

IPI072N10N3GXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI06N03LA

IPI06N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A I2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI09N03LA

IPI09N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 50A I2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI076N15N5AKSA1

IPI076N15N5AKSA1

Описание: MV POWER MOS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI100N04S4H2AKSA1

IPI100N04S4H2AKSA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3-1

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI100N04S303AKSA1

IPI100N04S303AKSA1

Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI075N15N3GXKSA1

IPI075N15N3GXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI05CN10N G

IPI05CN10N G

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI06CN10N G

IPI06CN10N G

Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI072N10N3GXK

IPI072N10N3GXK

Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI075N15N3GHKSA1

IPI075N15N3GHKSA1

Описание: MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI084N06L3GXKSA1

IPI084N06L3GXKSA1

Описание: MOSFET N-CH TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI08CNE8N G

IPI08CNE8N G

Описание: MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI05N03LA

IPI05N03LA

Описание: MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
IPI070N06N G

IPI070N06N G

Описание: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти