Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPI65R099C6XKSA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
478358IPI65R099C6XKSA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI65R099C6XKSA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPI65R099C6XKSA1
  • Изготовитель / Производитель
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 650V 38A TO-262
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    IPI65R099C6XKSA1.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3.5V @ 1.2mA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO262-3-1
  • Серии
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    99 mOhm @ 12.8A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    278W (Tc)
  • упаковка
    Tube
  • Упаковка /
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Другие названия
    SP000895222
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    2780pF @ 100V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    127nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    650V
  • Подробное описание
    N-Channel 650V 38A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    38A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с IPI65R099C6XKSA1.
IPI60R385CPXKSA1

IPI60R385CPXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI65R190C6XKSA1

IPI65R190C6XKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI60R600CPAKSA1

IPI60R600CPAKSA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI65R600C6XKSA1

IPI65R600C6XKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI60R520CPAKSA1

IPI60R520CPAKSA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-262

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI65R110CFDXKSA1

IPI65R110CFDXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI60R250CPAKSA1

IPI60R250CPAKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 12A TO-262

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI65R280E6XKSA1

IPI65R280E6XKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI60R190C6XKSA1

IPI60R190C6XKSA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI60R199CPXKSA2

IPI60R199CPXKSA2

Описание: HIGH POWER_LEGACY

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI65R420CFDXKSA1

IPI65R420CFDXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI65R380C6XKSA1

IPI65R380C6XKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI65R190CFDXKSA1

IPI65R190CFDXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI60R380C6XKSA1

IPI60R380C6XKSA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI65R280C6XKSA1

IPI65R280C6XKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI60R299CPXKSA1

IPI60R299CPXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI60R199CPXKSA1

IPI60R199CPXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI65R310CFDXKSA1

IPI65R310CFDXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI60R280C6XKSA1

IPI60R280C6XKSA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPI65R150CFDXKSA1

IPI65R150CFDXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-262

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.