International Rectifier (Infineon Technologies)

IPSH4N03LA G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

IPSH4N03LA G
Изготовитель / Производитель

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

IPSH4N03LA G.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

2V @ 40µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

PG-TO251-3
Серии

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4 mOhm @ 60A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

94W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Другие названия

IPSH4N03LA G-ND
IPSH4N03LAG
IPSH4N03LAGX
SP000016331
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

3 (168 Hours)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

3200pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

26nC @ 5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

25V
Подробное описание

N-Channel 25V 90A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

90A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с IPSH4N03LA G.

IPSAT-GM1P9-5

Описание: PRESSURE TRANS -1-9BARG 4-20MA

Производители: Cynergy3

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

IPSH4N03LA G

Онлайн - запрос

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Выберите язык

Текущий язык