Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPT60R125G7XTMA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4267019IPT60R125G7XTMA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPT60R125G7XTMA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$5.18
10+
$4.622
100+
$3.79
500+
$3.069
1000+
$2.588
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPT60R125G7XTMA1
  • Изготовитель / Производитель
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    IPT60R125G7XTMA1.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 320µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-HSOF-8
  • Серии
    CoolMOS™ G7
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 6.4A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    120W (Tc)
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    8-PowerSFN
  • Другие названия
    IPT60R125G7XTMA1DKR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1080pF @ 400V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    27nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    650V
  • Подробное описание
    N-Channel 650V 20A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    20A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с IPT60R125G7XTMA1.
IPT65R033G7XTMA1

IPT65R033G7XTMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 69A HSOF-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPT60R028G7XTMA1

IPT60R028G7XTMA1

Описание: MOSFET N-CH 600V 75A HSOF-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPT1-125-09-L-D

IPT1-125-09-L-D

Описание: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
RFQ
IPT65R195G7XTMA1

IPT65R195G7XTMA1

Описание: HIGH POWER_NEW

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPT1-150-01-S-D-RA

IPT1-150-01-S-D-RA

Описание: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
RFQ
IPT60R050G7XTMA1

IPT60R050G7XTMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPT1-150-01-L-D-RA

IPT1-150-01-L-D-RA

Описание: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
RFQ
IPT60R150G7XTMA1

IPT60R150G7XTMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPT1-125-09-S-D

IPT1-125-09-S-D

Описание: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
RFQ
IPT1-125-08-L-D-PL

IPT1-125-08-L-D-PL

Описание: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
RFQ
IPT60R102G7XTMA1

IPT60R102G7XTMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPT1-125-08-L-D

IPT1-125-08-L-D

Описание: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
RFQ
IPT1-150-01-S-D

IPT1-150-01-S-D

Описание: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
RFQ
IPT111N20NFDATMA1

IPT111N20NFDATMA1

Описание: MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPT60R080G7XTMA1

IPT60R080G7XTMA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPTR-DSPBUILDER

IPTR-DSPBUILDER

Описание: DSP BUILDER SOFTWARE

Производители: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Быть в наличии
RFQ
IPT1-125-08-S-D

IPT1-125-08-S-D

Описание: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
RFQ
IPT65R105G7XTMA1

IPT65R105G7XTMA1

Описание: HIGH POWER_NEW

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPT1-150-01-S-D-VS

IPT1-150-01-S-D-VS

Описание: .100 DOUBLE ROW SHROUDED TERMINA

Производители: Samtec, Inc.
Быть в наличии
RFQ
IPT210N25NFDATMA1

IPT210N25NFDATMA1

Описание: MV POWER MOS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.