Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IPW90R1K0C3FKSA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2013641IPW90R1K0C3FKSA1 Image.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPW90R1K0C3FKSA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IPW90R1K0C3FKSA1
  • Изготовитель / Производитель
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    IPW90R1K0C3FKSA1.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    3.5V @ 370µA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    PG-TO247-3
  • Серии
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1 Ohm @ 3.3A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    89W (Tc)
  • упаковка
    Tube
  • Упаковка /
    TO-247-3
  • Другие названия
    IPW90R1K0C3
    IPW90R1K0C3-ND
    SP000413752
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    850pF @ 100V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    900V
  • Подробное описание
    N-Channel 900V 5.7A (Tc) 89W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    5.7A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с IPW90R1K0C3FKSA1.
IPW90R340C3FKSA1

IPW90R340C3FKSA1

Описание: MOSFET N-CH 900V 15A TO-247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPW65R190CFDAFKSA1

IPW65R190CFDAFKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPW80R360P7XKSA1

IPW80R360P7XKSA1

Описание: MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPW80R280P7XKSA1

IPW80R280P7XKSA1

Описание: MOSFET N-CH 800V 17A TO247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPW65R190C7XKSA1

IPW65R190C7XKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPW65R190CFDFKSA1

IPW65R190CFDFKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPW65R280C6FKSA1

IPW65R280C6FKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPW90R120C3FKSA1

IPW90R120C3FKSA1

Описание: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPW65R660CFDFKSA1

IPW65R660CFDFKSA1

Описание: MOSFET N-CH 700V 6A TO247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPW65R190E6FKSA1

IPW65R190E6FKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPW90R1K2C3FKSA1

IPW90R1K2C3FKSA1

Описание: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPW65R150CFDFKSA1

IPW65R150CFDFKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V TO247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPW80R290C3AFKSA1

IPW80R290C3AFKSA1

Описание: MOSFET N-CH 800V TO247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPW65R280E6FKSA1

IPW65R280E6FKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPW65R150CFDAFKSA1

IPW65R150CFDAFKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V TO247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPW90R500C3FKSA1

IPW90R500C3FKSA1

Описание: MOSFET N-CH 900V 11A TO-247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPW65R310CFDFKSA1

IPW65R310CFDFKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPW65R190C6FKSA1

IPW65R190C6FKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPW65R420CFDFKSA1

IPW65R420CFDFKSA1

Описание: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IPW90R800C3FKSA1

IPW90R800C3FKSA1

Описание: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.