International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF5210STRR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

IRF5210STRR
Изготовитель / Производитель

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Содержит несоответствие свинца / RoHS
Спецификация

IRF5210STRR.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

D2PAK
Серии

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 24A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

3.8W (Ta), 200W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2700pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

180nC @ 10V
Тип FET

P-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

100V
Подробное описание

P-Channel 100V 40A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

40A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с IRF5210STRR.

IRF520S

Описание: MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

IRF5210STRR

Онлайн - запрос

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Выберите язык

Текущий язык