IRFR9N20DTR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

2000+

$1.242

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

IRFR9N20DTR
Изготовитель / Производитель

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Содержит несоответствие свинца / RoHS
Спецификация

IRFR9N20DTR.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±30V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

D-Pak
Серии

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 5.6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

86W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

560pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

27nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

200V
Подробное описание

N-Channel 200V 9.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount D-Pak
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

9.4A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с IRFR9N20DTR.

IRFRC20

Описание: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

IRFR9N20DTR

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Выберите язык

Текущий язык