International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFU1010Z

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

IRFU1010Z
Изготовитель / Производитель

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Содержит несоответствие свинца / RoHS
Спецификация

IRFU1010Z.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 100µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

IPAK (TO-251)
Серии

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5 mOhm @ 42A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

140W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Другие названия

*IRFU1010Z
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2840pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

95nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

55V
Подробное описание

N-Channel 55V 42A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

42A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с IRFU1010Z.

IRFU120

Описание: MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

IRFU1010Z

Онлайн - запрос

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Выберите язык

Текущий язык