International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFZ34EPBF

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

IRFZ34EPBF
Изготовитель / Производитель

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

IRFZ34EPBF.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-220AB
Серии

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 17A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

68W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-220-3
Другие названия

*IRFZ34EPBF
SP001567916
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

680pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

30nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

60V
Подробное описание

N-Channel 60V 28A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

28A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с IRFZ34EPBF.

IRFZ24S

Описание: MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

IRFZ34EPBF

Онлайн - запрос

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Выберите язык

Текущий язык