6731942

IRLL024NTRPBF

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

$1.07

10+

$0.946

100+

$0.748

500+

$0.58

1000+

$0.458

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

IRLL024NTRPBF
Изготовитель / Производитель

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

IRLL024NTRPBF.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (макс.)

±16V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

SOT-223
Серии

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 3.1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

1W (Ta)
упаковка

Cut Tape (CT)
Упаковка /

TO-261-4, TO-261AA
Другие названия

*IRLL024NTRPBF
IRLL024NPBFCT
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

510pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

15.6nC @ 5V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

55V
Подробное описание

N-Channel 55V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

3.1A (Ta)

Ниже приведены продукты, связанные с IRLL024NTRPBF.

IRLL014

Описание: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

IRLL024NTRPBF

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Выберите язык

Текущий язык