Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > PTFA211801EV5T350XWSA1
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4250690

PTFA211801EV5T350XWSA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    PTFA211801EV5T350XWSA1
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC RF FET LDMOS H-36260-2
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Модель ECAD
  • Серии
    *
  • Другие названия
    SP000841132
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    RF Mosfet
PTFA210701EV4R250XTMA1

PTFA210701EV4R250XTMA1

Описание: IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
PTFA210601F V4 R250

PTFA210601F V4 R250

Описание: IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
PTFA212001FV4R250XTMA1

PTFA212001FV4R250XTMA1

Описание: IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
PTFA211801E-V5-R250

PTFA211801E-V5-R250

Описание: FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2

Производители: Cree Wolfspeed
Быть в наличии
PTFA212001EV4R250XTMA1

PTFA212001EV4R250XTMA1

Описание: FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
PTFA210701FV4R250XTMA1

PTFA210701FV4R250XTMA1

Описание: IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
PTFA211801F V4

PTFA211801F V4

Описание: IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
PTFA211801E V4 R250

PTFA211801E V4 R250

Описание: FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
PTFA212001EV4XWSA1

PTFA212001EV4XWSA1

Описание: FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
PTFA210701FV4FWSA1

PTFA210701FV4FWSA1

Описание: IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
PTFA212001F/1 P4

PTFA212001F/1 P4

Описание: IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
PTFA212001EV4R0XTMA1

PTFA212001EV4R0XTMA1

Описание: RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
PTFA210701EV4XWSA1

PTFA210701EV4XWSA1

Описание: IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
PTFA210701EV4T500XWSA1

PTFA210701EV4T500XWSA1

Описание: IC FET RF LDMOS

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
PTFA212001F1V4XWSA1

PTFA212001F1V4XWSA1

Описание: IC RF POWER TRANSISTOR

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
PTFA211801EV5XWSA1

PTFA211801EV5XWSA1

Описание: FET RF 65V 2.14GHZ H36260-2

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
PTFA212001F1V4R250XTMA1

PTFA212001F1V4R250XTMA1

Описание: IC RF POWER TRANSISTOR

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
PTFA211801E V4

PTFA211801E V4

Описание: FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
PTFA211801F V4 R250

PTFA211801F V4 R250

Описание: IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
PTFA211801E-V5-R0

PTFA211801E-V5-R0

Описание: RF MOSFET LDMOS 28V H-36260-2

Производители: Cree Wolfspeed
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти