SI3443DV

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SI3443DV
Изготовитель / Производитель

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Содержит несоответствие свинца / RoHS
Спецификация

SI3443DV.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (макс.)

±12V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

Micro6™(TSOP-6)
Серии

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс)

2W (Ta)
упаковка

Tube
Упаковка /

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Другие названия

*SI3443DV
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1079pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

15nC @ 4.5V
Тип FET

P-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

20V
Подробное описание

P-Channel 20V 4.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

4.4A (Ta)

Ниже приведены продукты, связанные с SI3443DV.

SI3443DV

Описание: MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

SI3443DV

Онлайн - запрос

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Выберите язык

Текущий язык