International Rectifier (Infineon Technologies)

SPB80N10L G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SPB80N10L G
Изготовитель / Производитель

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

SPB80N10L G.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

2V @ 2mA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

PG-TO263-3-2
Серии

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 58A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

250W (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Другие названия

SP000102173
SPB80N10L G-ND
SPB80N10LGINTR
SPB80N10LGXT
Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

4540pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

240nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

100V
Подробное описание

N-Channel 100V 80A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

80A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с SPB80N10L G.

SPBT2532C2.AT2

Описание: RF TXRX MODULE BLUETOOTH

Производители: STMicroelectronics

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

SPB80N10L G

Онлайн - запрос

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Выберите язык

Текущий язык