International Rectifier (Infineon Technologies)

SPP12N50C3HKSA1

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

SPP12N50C3HKSA1
Изготовитель / Производитель

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

SPP12N50C3HKSA1.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id

3.9V @ 500µA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

PG-TO220-3-1
Серии

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 7A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

125W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-220-3
Другие названия

SP000014459
SPP12N50C3
SPP12N50C3IN
SPP12N50C3IN-ND
SPP12N50C3X
SPP12N50C3XK
SPP12N50C3XTIN
SPP12N50C3XTIN-ND
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1200pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

49nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

560V
Подробное описание

N-Channel 560V 11.6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

11.6A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с SPP12N50C3HKSA1.

SPP14X20

Описание: SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION

Производители: 3M

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

SPP12N50C3HKSA1

Онлайн - запрос

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Выберите язык

Текущий язык