Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - массивы, заранее > IMB4AT110
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4193936IMB4AT110 Image.LAPIS Semiconductor

IMB4AT110

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    IMB4AT110
  • Изготовитель / Производитель
    LAPIS Technology
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    IMB4AT110.pdf
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    50V
  • Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Тип транзистор
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SMT6
  • Серии
    -
  • Резистор - основание эмиттера (R2)
    -
  • Резистор - основание (R1)
    10 kOhms
  • Мощность - Макс
    300mW
  • упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Упаковка /
    SC-74, SOT-457
  • Другие названия
    IMB4AT110CT
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - Переход
    250MHz
  • Подробное описание
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    -
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    100mA
  • Номер базового номера
    MB4

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с IMB4AT110.
IMBD4148-G3-08

IMBD4148-G3-08

Описание: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
IMB36654M12

IMB36654M12

Описание: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12

Производители: Crouzet
Быть в наличии
RFQ
IMB5AT108

IMB5AT108

Описание: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
IMB36654C

IMB36654C

Описание: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M

Производители: Crouzet
Быть в наличии
RFQ
IMB36656M8

IMB36656M8

Описание: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8

Производители: Crouzet
Быть в наличии
RFQ
IMBD4148-E3-18

IMBD4148-E3-18

Описание: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
IMBD4148-G3-18

IMBD4148-G3-18

Описание: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
IMB36656C

IMB36656C

Описание: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M

Производители: Crouzet
Быть в наличии
RFQ
IMB3AT110

IMB3AT110

Описание: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
IMB36652C

IMB36652C

Описание: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M

Производители: Crouzet
Быть в наличии
RFQ
IMB36656M12

IMB36656M12

Описание: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12

Производители: Crouzet
Быть в наличии
RFQ
IMB36654M8

IMB36654M8

Описание: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8

Производители: Crouzet
Быть в наличии
RFQ
IMB36652M8

IMB36652M8

Описание: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8

Производители: Crouzet
Быть в наличии
RFQ
IMBD4148-HE3-18

IMBD4148-HE3-18

Описание: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
IMB9AT110

IMB9AT110

Описание: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
IMB7AT108

IMB7AT108

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
IMBD4148-HE3-08

IMBD4148-HE3-08

Описание: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
IMBD4448-E3-08

IMBD4448-E3-08

Описание: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
IMB36652M12

IMB36652M12

Описание: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12

Производители: Crouzet
Быть в наличии
RFQ
IMBD4148-E3-08

IMBD4148-E3-08

Описание: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.