MTZJT-779.1B

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

MTZJT-779.1B
Изготовитель / Производитель

LAPIS Technology
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

MTZJT-779.1B.pdf
Напряжение - Zener (Nom) (Vz)

9.1V
Толерантность

±3%
Поставщик Упаковка устройства

MSD
Серии

-
Мощность - Макс

500mW
упаковка

Tape & Box (TB)
Упаковка /

DO-204AG, DO-34, Axial
Рабочая Температура

-
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Сопротивление (Макс) (ZZT)

20 Ohms
Подробное описание

Zener Diode 9.1V 500mW ±3% Through Hole MSD
Ток - Обратный утечки @ Vr

500nA @ 6V

Ниже приведены продукты, связанные с MTZJT-779.1B.

MTZJT-778.2B

Описание: DIODE ZENER 8.2V 500MW MSD

Производители: LAPIS Semiconductor

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

MTZJT-779.1B

Онлайн - запрос

AMD запускает строительство втор...

Графическая карта NVIDIA RTX 5090 имее...

Антропик получает еще 4 миллиард...

Полу: продажи IC увеличиваются на...

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Расширение производства панеле...

Выберите язык

Текущий язык