Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > R5021ANJTL
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
477044R5021ANJTL Image.LAPIS Semiconductor

R5021ANJTL

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1000+
$3.301
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    R5021ANJTL
  • Изготовитель / Производитель
    LAPIS Technology
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Модель ECAD
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4.5V @ 1mA
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    LPTS
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    220 mOhm @ 10.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    100W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Рабочая Температура
    150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    2300pF @ 25V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    64nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    500V
  • Подробное описание
    N-Channel 500V 21A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    21A (Tc)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip объявляет о 500 увольнениях,...

2024/12/4

Quanta: AI -спрос продолжает остават...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значительно снижает исполь...

2024/12/2

Vishay инвестирует 51 миллион фунто...

2024/11/29
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с R5021ANJTL.
R5021210RSWA

R5021210RSWA

Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R5030410RSWA

R5030410RSWA

Описание: DIODE GEN PURP 400V 100A DO205AA

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R5021218FSWA

R5021218FSWA

Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 175A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R5030218FSWA

R5030218FSWA

Описание: DIODE GEN PURP 200V 175A DO205AA

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R5021418FSWA

R5021418FSWA

Описание: DIODE GEN PURP 1.4KV 175A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R5021213LSWA

R5021213LSWA

Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 125A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R5021010RSZT

R5021010RSZT

Описание: DIODE GEN PURP

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R5030210RSWA

R5030210RSWA

Описание: DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R5021ANX

R5021ANX

Описание: MOSFET N-CH 500V 21A TO220

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
R5030418FSWA

R5030418FSWA

Описание: DIODE GEN PURP 400V 175A DO205AA

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R5021210RSZT

R5021210RSZT

Описание: DIODE GEN PURP

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R5030613LSWA

R5030613LSWA

Описание: DIODE GEN PURP 600V 125A DO205AA

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R5021413LSWA

R5021413LSWA

Описание: DIODE GEN PURP 1.4KV 125A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R5030610RSWA

R5030610RSWA

Описание: DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R5021013LSWA

R5021013LSWA

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 125A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R5021613FSWA

R5021613FSWA

Описание: DIODE GEN PURP 1.6KV 125A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R5030413LSWA

R5030413LSWA

Описание: DIODE GEN PURP 400V 125A DO205AA

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R5030213LSWA

R5030213LSWA

Описание: DIODE GEN PURP 200V 125A DO205AA

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R5022

R5022

Описание: HINGED SNAP-ON EJECTOR

Производители: Essentra Components
Быть в наличии
RFQ
R5021018FSWA

R5021018FSWA

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 175A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиНовостиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.