Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > R6011ENX
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4941282R6011ENX Image.LAPIS Semiconductor

R6011ENX

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$3.39
10+
$3.059
100+
$2.458
500+
$1.912
1000+
$1.584
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    R6011ENX
  • Изготовитель / Производитель
    LAPIS Technology
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 600V 11A TO220
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    R6011ENX.pdf
  • Модель ECAD
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    TO-220FM
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    390 mOhm @ 3.8A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    40W (Tc)
  • упаковка
    Bulk
  • Упаковка /
    TO-220-3 Full Pack
  • Другие названия
    R6011ENXCT
    R6011ENXCT-ND
  • Рабочая Температура
    150°C (TJ)
  • Тип установки
    Through Hole
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    17 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    670pF @ 25V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    600V
  • Подробное описание
    N-Channel 600V 11A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    11A (Tc)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip объявляет о 500 увольнениях,...

2024/12/4

Quanta: AI -спрос продолжает остават...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значительно снижает исполь...

2024/12/2

Vishay инвестирует 51 миллион фунто...

2024/11/29
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с R6011ENX.
R6011825XXYA

R6011825XXYA

Описание: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R6011230XXYA

R6011230XXYA

Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R6011625XXYA

R6011625XXYA

Описание: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R6012225XXYA

R6012225XXYA

Описание: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R6011225XXYA

R6011225XXYA

Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R6012425XXYA

R6012425XXYA

Описание: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R6011630XXYA

R6011630XXYA

Описание: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R6011430XXYA

R6011430XXYA

Описание: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R6011830XXYA

R6011830XXYA

Описание: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R6012025XXYA

R6012025XXYA

Описание: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R6012ANX

R6012ANX

Описание: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
R6011KNJTL

R6011KNJTL

Описание: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
R6012ANJTL

R6012ANJTL

Описание: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
R6012625XXYA

R6012625XXYA

Описание: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R6011030XXYA

R6011030XXYA

Описание: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R6012FNJTL

R6012FNJTL

Описание: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
R6011ENJTL

R6011ENJTL

Описание: MOSFET N-CH 600V 11A LPT

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
R6011425XXYA

R6011425XXYA

Описание: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
R6011KNX

R6011KNX

Описание: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
R6012030XXYA

R6012030XXYA

Описание: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

Производители: Powerex, Inc.
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиНовостиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.