Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > RJU002N06FRAT106
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
6771051RJU002N06FRAT106 Image.LAPIS Semiconductor

RJU002N06FRAT106

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.087
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RJU002N06FRAT106
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (макс.)
    ±12V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    UMT3
  • Серии
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    200mW (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    SC-70, SOT-323
  • Другие названия
    RJU002N06FRAT106TR
  • Рабочая Температура
    150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    10 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    18pF @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    60V
  • Подробное описание
    N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    200mA (Ta)
RJU6053SDPE-00#J3

RJU6053SDPE-00#J3

Описание: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
RJU3052SDPD-E0#J2

RJU3052SDPD-E0#J2

Описание: DIODE GEN PURP 360V 20A TO252

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
RJU6054SDPE-00#J3

RJU6054SDPE-00#J3

Описание: DIODE GEN PURP 600V 30A LDPAK

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
RJU4352SDPD-E0#J2

RJU4352SDPD-E0#J2

Описание: DIODE GEN PURP 430V 20A TO252

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
RJU4351TDPP-EJ#T2

RJU4351TDPP-EJ#T2

Описание: DIODE GP 430V 10A TO220FP-2L

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
RJU4351SDPE-00#J3

RJU4351SDPE-00#J3

Описание: DIODE GEN PURP 430V 10A LDPAK

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
RJU6052SDPD-E0#J2

RJU6052SDPD-E0#J2

Описание: DIODE GEN PURP 600V 20A TO252

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
RJU6053WDPP-M0#T2

RJU6053WDPP-M0#T2

Описание: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FL

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
RJU002N06T106

RJU002N06T106

Описание: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RJU60C2SDPD-E0#J2

RJU60C2SDPD-E0#J2

Описание: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
RJU6053TDPP-EJ#T2

RJU6053TDPP-EJ#T2

Описание: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
RJU6052SDPE-00#J3

RJU6052SDPE-00#J3

Описание: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
RJU003N03T106

RJU003N03T106

Описание: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RJU60C3SDPD-E0#J2

RJU60C3SDPD-E0#J2

Описание: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
RJU4352SDPE-00#J3

RJU4352SDPE-00#J3

Описание: DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
RJU6054TDPP-EJ#T2

RJU6054TDPP-EJ#T2

Описание: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
RJU4352TDPP-EJ#T2

RJU4352TDPP-EJ#T2

Описание: DIODE GP 430V 20A TO220FP-2L

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
RJU3051SDPE-00#J3

RJU3051SDPE-00#J3

Описание: DIODE GEN PURP 360V 10A LDPAK

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
RJU6052TDPP-EJ#T2

RJU6052TDPP-EJ#T2

Описание: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
RJU60C2TDPP-EJ#T2

RJU60C2TDPP-EJ#T2

Описание: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FP

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти