Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Диоды - RF > RN262GT2R
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1307159RN262GT2R Image.LAPIS Semiconductor

RN262GT2R

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
8000+
$0.099
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RN262GT2R
  • Изготовитель / Производитель
    LAPIS Technology
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    1.RN262GT2R.pdf
    2.RN262GT2R.pdf
  • Напряжение - Пиковое обратное (Макс)
    30V
  • Поставщик Упаковка устройства
    VMD2
  • Серии
    -
  • Сопротивление @ Если, F
    1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    100mW
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    2-SMD, Flat Lead
  • Рабочая Температура
    150°C (TJ)
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    10 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Диод Тип
    PIN - Single
  • Подробное описание
    RF Diode PIN - Single 30V 100mA 100mW VMD2
  • Ток - Макс
    100mA
  • Емкостной @ В.Р., F
    0.4pF @ 1V, 1MHz

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с RN262GT2R.
RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN2601(TE85L,F)

RN2601(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN2607(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN2604(TE85L,F)

RN2604(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN2702TE85LF

RN2702TE85LF

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN2608(TE85L,F)

RN2608(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN2603(TE85L,F)

RN2603(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN2605(TE85L,F)

RN2605(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN2602(TE85L,F)

RN2602(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Описание: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Производители: Toshiba Semiconductor and Storage
Быть в наличии
RFQ
RN262CST2R

RN262CST2R

Описание: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.