Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > RQ1E100XNTR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
2270412RQ1E100XNTR Image.LAPIS Semiconductor

RQ1E100XNTR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.435
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RQ1E100XNTR
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    TSMT8
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    550mW (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    8-SMD, Flat Lead
  • Рабочая Температура
    150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1000pF @ 10V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    12.7nC @ 5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 10A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount TSMT8
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    10A (Ta)
FDD6778A

FDD6778A

Описание: MOSFET N-CH 25V 12A DPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
SIR462DP-T1-GE3

SIR462DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
FDB3632-F085

FDB3632-F085

Описание: MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RQ1C065UNTR

RQ1C065UNTR

Описание: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
BUK661R6-30C,118

BUK661R6-30C,118

Описание: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

Производители: Nexperia
Быть в наличии
STB16PF06LT4

STB16PF06LT4

Описание: MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK

Производители: STMicroelectronics
Быть в наличии
STW43NM50N

STW43NM50N

Описание: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Производители: STMicroelectronics
Быть в наличии
RQ1A070ZPTR

RQ1A070ZPTR

Описание: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RQ1C075UNTR

RQ1C075UNTR

Описание: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
2SK4198FS

2SK4198FS

Описание: MOSFET N-CH 600V 4A TO-220F-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
SPW21N50C3FKSA1

SPW21N50C3FKSA1

Описание: MOSFET N-CH 560V 21A TO-247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RQ1A060ZPTR

RQ1A060ZPTR

Описание: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
STF13N95K3

STF13N95K3

Описание: MOSFET N-CH 950V 10A TO220FP

Производители: STMicroelectronics
Быть в наличии
RQ1E070RPTR

RQ1E070RPTR

Описание: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RQ1E050RPTR

RQ1E050RPTR

Описание: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RQ1A070APTR

RQ1A070APTR

Описание: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
IXFT58N20Q TRL

IXFT58N20Q TRL

Описание: MOSFET N-CH 200V 58A TO268

Производители: IXYS Corporation
Быть в наличии
FDB3652-F085

FDB3652-F085

Описание: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
STD12NF06T4

STD12NF06T4

Описание: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

Производители: STMicroelectronics
Быть в наличии
NTD18N06-001

NTD18N06-001

Описание: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти