Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > RQ6E085BNTCR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1095768RQ6E085BNTCR Image.LAPIS Semiconductor

RQ6E085BNTCR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.384
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RQ6E085BNTCR
  • Изготовитель / Производитель
    LAPIS Technology
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    1.RQ6E085BNTCR.pdf
    2.RQ6E085BNTCR.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-457
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.4 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    1.25W (Tc)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    SC-74, SOT-457
  • Другие названия
    RQ6E085BNTCRTR
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    1350pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    32.7nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 8.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount SOT-457
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    8.5A (Tc)

Intel получит 7,86 млрд. Долл. США в р...

2024/11/27

AMD запускает строительство втор...

2024/11/26

Графическая карта NVIDIA RTX 5090 имее...

2024/11/25

Антропик получает еще 4 миллиард...

2024/11/23

Полу: продажи IC увеличиваются на...

2024/11/22

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с RQ6E085BNTCR.
RQ6P015SPTR

RQ6P015SPTR

Описание: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
IRFD224PBF

IRFD224PBF

Описание: MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR

Описание: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
PSMN7R6-60PS,127

PSMN7R6-60PS,127

Описание: MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB

Производители: Nexperia
Быть в наличии
RFQ
RQ6C050UNTR

RQ6C050UNTR

Описание: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
NP80N055KLE-E1-AY

NP80N055KLE-E1-AY

Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

Производители: Renesas Electronics America
Быть в наличии
RFQ
RQ6C065BCTCR

RQ6C065BCTCR

Описание: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RQ6E045BNTCR

RQ6E045BNTCR

Описание: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
EPC2031ENGRT

EPC2031ENGRT

Описание: MOSFET NCH 60V 31A DIE

Производители: EPC
Быть в наличии
RFQ
RQ6C050BCTCR

RQ6C050BCTCR

Описание: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
MCH3376-TL-E

MCH3376-TL-E

Описание: MOSFET P-CH 8A 20V MCPH3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RQ6E055BNTCR

RQ6E055BNTCR

Описание: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR

Описание: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
IRFPS3810

IRFPS3810

Описание: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
IRL2203NSPBF

IRL2203NSPBF

Описание: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

Описание: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
AOD452

AOD452

Описание: MOSFET N-CH 25V 55A TO-252

Производители: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Быть в наличии
RFQ
IPI50R199CPXKSA1

IPI50R199CPXKSA1

Описание: MOSFET N-CH 500V 17A TO262

Производители: International Rectifier (Infineon Technologies)
Быть в наличии
RFQ
RQ6E050ATTCR

RQ6E050ATTCR

Описание: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
FQD30N06TM

FQD30N06TM

Описание: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.