Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > RS1E350BNTB
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
3097523RS1E350BNTB Image.LAPIS Semiconductor

RS1E350BNTB

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1+
$1.79
10+
$1.615
100+
$1.298
500+
$1.009
1000+
$0.836
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RS1E350BNTB
  • Изготовитель / Производитель
    LAPIS Technology
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    1.RS1E350BNTB.pdf
    2.RS1E350BNTB.pdf
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (макс.)
    ±20V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    8-HSOP
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.7 mOhm @ 35A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    35W (Tc)
  • упаковка
    Original-Reel®
  • Упаковка /
    8-PowerTDFN
  • Другие названия
    RS1E350BNTBDKR
  • Рабочая Температура
    150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    7900pF @ 15V
  • Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs
    185nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    30V
  • Подробное описание
    N-Channel 30V 35A (Ta) 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    35A (Ta)

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с RS1E350BNTB.
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Описание: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Описание: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Описание: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
RS1G M2G

RS1G M2G

Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RFQ
RS1G-13

RS1G-13

Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Описание: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RS1G R3G

RS1G R3G

Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Производители: TSC (Taiwan Semiconductor)
Быть в наличии
RFQ
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
RS1G-13-F

RS1G-13-F

Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Производители: Diodes Incorporated
Быть в наличии
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Описание: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Описание: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Описание: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Описание: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Описание: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Описание: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RS1G

RS1G

Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Производители: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Быть в наличии
RFQ
RS1G/1

RS1G/1

Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Производители: Electro-Films (EFI) / Vishay
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.