Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > RU1C001UNTCL
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1127940RU1C001UNTCL Image.LAPIS Semiconductor

RU1C001UNTCL

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
3000+
$0.066
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    RU1C001UNTCL
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Vgs (й) (Max) @ Id
    1V @ 100µA
  • Vgs (макс.)
    ±12V
  • Технологии
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Поставщик Упаковка устройства
    UMT3F
  • Серии
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс)
    150mW (Ta)
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    SC-85
  • Другие названия
    RU1C001UNTCL-ND
    RU1C001UNTCLTR
  • Рабочая Температура
    150°C (TJ)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    10 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
    7.1pF @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • FET Характеристика
    -
  • Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Слить к источнику напряжения (VDSS)
    20V
  • Подробное описание
    N-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F
  • Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
    100mA (Ta)
RU1608JR100CS

RU1608JR100CS

Описание: RES 100M OHM 5% 1/4W 0603

Производители: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Быть в наличии
RU1C002ZPTCL

RU1C002ZPTCL

Описание: MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RU1608JR068CS

RU1608JR068CS

Описание: RES 0.068 OHM 5% 1/4W 0603

Производители: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Быть в наличии
RU1608JR091CS

RU1608JR091CS

Описание: RES 91M OHM 5% 1/4W 0603

Производители: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Быть в наличии
RU1608JR075CS

RU1608JR075CS

Описание: RES 75M OHM 5% 1/4W 0603

Производители: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Быть в наличии
RU1608JR047CS

RU1608JR047CS

Описание: RES 47M OHM 5% 1/4W 0603

Производители: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Быть в наличии
RU1608JR036CS

RU1608JR036CS

Описание: RES 36M OHM 5% 1/4W 0603

Производители: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Быть в наличии
RU1608JR082CS

RU1608JR082CS

Описание: RES 82M OHM 5% 1/4W 0603

Производители: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Быть в наличии
RU1608JR033CS

RU1608JR033CS

Описание: RES 33M OHM 5% 1/4W 0603

Производители: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Быть в наличии
RU1608JR039CS

RU1608JR039CS

Описание: RES 39M OHM 5% 1/4W 0603

Производители: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Быть в наличии
RU1608JR027CS

RU1608JR027CS

Описание: RES 27M OHM 5% 1/4W 0603

Производители: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Быть в наличии
RU1608JR062CS

RU1608JR062CS

Описание: RES 62M OHM 5% 1/4W 0603

Производители: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Быть в наличии
RU1C002UNTCL

RU1C002UNTCL

Описание: MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RU1608JR030CS

RU1608JR030CS

Описание: RES 30M OHM 5% 1/4W 0603

Производители: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Быть в наличии
RU1C001ZPTL

RU1C001ZPTL

Описание: MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RU1J002YNTCL

RU1J002YNTCL

Описание: MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RU1608JR043CS

RU1608JR043CS

Описание: RES 43M OHM 5% 1/4W 0603

Производители: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Быть в наличии
RU1608JR056CS

RU1608JR056CS

Описание: RES 56M OHM 5% 1/4W 0603

Производители: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Быть в наличии
RU1E002SPTCL

RU1E002SPTCL

Описание: MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F

Производители: LAPIS Semiconductor
Быть в наличии
RU1608JR051CS

RU1608JR051CS

Описание: RES 51M OHM 5% 1/4W 0603

Производители: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти