TN2106K1-G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии

3000+

$0.371

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

TN2106K1-G
Изготовитель / Производитель

Micrel / Microchip Technology
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

TN2106K1-G.pdf
Модель ECAD
Vgs (й) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Vgs (макс.)

±20V
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-236AB (SOT23)
Серии

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 Ohm @ 500mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

360mW (Tc)
упаковка

Tape & Reel (TR)
Упаковка /

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Другие названия

TN2106K1-G-ND
TN2106K1-GTR
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления

6 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

50pF @ 25V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)

60V
Подробное описание

N-Channel 60V 280mA (Tj) 360mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

280mA (Tj)

Ниже приведены продукты, связанные с TN2106K1-G.

TN2-L2-H-6V

Описание: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 125V

Производители: Panasonic

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

TN2106K1-G

Онлайн - запрос

Справочная цена (в долларах США)

Microchip Introduces Quantum-Resistant 64-Bit RISC-V Proces...

Выберите язык

Текущий язык