Главная > Продукты > Интегрированные цепи (ICS) > Память > MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F TR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
710833

MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F TR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1000+
$4.219
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F TR
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC FLASH 4G PARALLEL TSOP
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Модель ECAD
  • Время цикла записи - слово, страница
    -
  • Напряжение тока - поставка
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Технологии
    FLASH - NAND
  • Серии
    -
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Другие названия
    MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F TR-ND
    MT29F4G16ABAFAWP-ITES:FTR
  • Рабочая Температура
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип памяти
    Non-Volatile
  • Размер памяти
    4Gb (256M x 16)
  • Интерфейс памяти
    Parallel
  • Формат памяти
    FLASH
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel
MT29F4G16ABAEAWP:E

MT29F4G16ABAEAWP:E

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F4G16ABAEAWP-IT:E TR

MT29F4G16ABAEAWP-IT:E TR

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F4G16ABBDAHC:D

MT29F4G16ABBDAHC:D

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F4G16ABAEAH4:E TR

MT29F4G16ABAEAH4:E TR

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F4G16ABAEAWP:E TR

MT29F4G16ABAEAWP:E TR

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D

MT29F4G16ABBDAH4-IT:D

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F4G16ABAEAWP-IT:E

MT29F4G16ABAEAWP-IT:E

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F4G16ABBDAH4:D

MT29F4G16ABBDAH4:D

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F4G16ABBDAHC:D TR

MT29F4G16ABBDAHC:D TR

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F4G16ABBDAHC-IT:D

MT29F4G16ABBDAHC-IT:D

Описание:

Производители: Micron Technology Inc.
Быть в наличии
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D

MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F

MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F4G16ABBDAHC-IT:D TR

MT29F4G16ABBDAHC-IT:D TR

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D TR

MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D TR

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F4G16ABBDAH4:D TR

MT29F4G16ABBDAH4:D TR

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F

MT29F4G16ABAFAWP-ITES:F

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR

MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR

MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F

MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D TR

MT29F4G16ABBDAH4-IT:D TR

Описание: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти