Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Интегральные схемы (ICs) > Память > MT29F512G08CECBBJ4-5M:B
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
5030417

MT29F512G08CECBBJ4-5M:B

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    MT29F512G08CECBBJ4-5M:B
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC FLASH
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Серии
    *
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    Memory IC
MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR

MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR

Описание: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F512G08CECBBJ4-37:B

MT29F512G08CECBBJ4-37:B

Описание: IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F512G08CFCBBWP-10M:B

MT29F512G08CFCBBWP-10M:B

Описание: MLC 512G 64GX8 TSOP DDP

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR

MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR

Описание: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F512G08CFCBBWP-10:B

MT29F512G08CFCBBWP-10:B

Описание: MLC 512G 64GX8 TSOP DDP

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR

MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR

Описание: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR

MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR

Описание: IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F512G08CKCABH7-6:A

MT29F512G08CKCABH7-6:A

Описание: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR

MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR

Описание: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR

MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR

Описание: IC FLASH 512G PARALLEL 200MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B

MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B

Описание: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR

MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR

Описание: IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F512G08AUEBBK8-12:B TR

MT29F512G08AUEBBK8-12:B TR

Описание: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F512G08CFCBBWP-10M:B TR

MT29F512G08CFCBBWP-10M:B TR

Описание: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR

MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR

Описание: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR

MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR

Описание: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR

MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR

Описание: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B

MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B

Описание: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR

MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR

Описание: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT29F512G08AUEBBH8-12:B

MT29F512G08AUEBBH8-12:B

Описание: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти