Главная > Продукты > Интегрированные цепи (ICS) > Память > MT41K2G4RKB-107:N TR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
27060

MT41K2G4RKB-107:N TR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
2000+
$40.56
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    MT41K2G4RKB-107:N TR
  • Изготовитель / Производитель
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
  • Модель ECAD
  • Время цикла записи - слово, страница
    -
  • Напряжение тока - поставка
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Технологии
    SDRAM - DDR3L
  • Поставщик Упаковка устройства
    78-FBGA (8x10.5)
  • Серии
    -
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    78-TFBGA
  • Другие названия
    MT41K2G4RKB-107:N TR-ND
    MT41K2G4RKB-107:NTR
  • Рабочая Температура
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип памяти
    Volatile
  • Размер памяти
    8Gb (2G x 4)
  • Интерфейс памяти
    Parallel
  • Формат памяти
    DRAM
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    SDRAM - DDR3L Memory IC 8Gb (2G x 4) Parallel 933MHz 20ns 78-FBGA (8x10.5)
  • Тактовая частота
    933MHz
  • Время доступа
    20ns
MT41K2G4TRF-107:E TR

MT41K2G4TRF-107:E TR

Описание: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M8DA-125:M

MT41K256M8DA-125:M

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M8DA-125:K

MT41K256M8DA-125:K

Описание:

Производители: Micron Technology Inc.
Быть в наличии
MT41K256M8DA-125 IT:K

MT41K256M8DA-125 IT:K

Описание:

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K2G4SN-125:A

MT41K2G4SN-125:A

Описание: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M8HX-15E:D

MT41K256M8HX-15E:D

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M8DA-15E:M

MT41K256M8DA-15E:M

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K2G4TRF-107:E

MT41K2G4TRF-107:E

Описание: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K2G4TRF-125:E

MT41K2G4TRF-125:E

Описание: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M8DA-125 IT:K TR

MT41K256M8DA-125 IT:K TR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K2G4RKB-107:N

MT41K2G4RKB-107:N

Описание: IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K2G4SN-125:A TR

MT41K2G4SN-125:A TR

Описание: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K512M16HA-107 IT:A

MT41K512M16HA-107 IT:A

Описание: IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K2G8KJR-125:A

MT41K2G8KJR-125:A

Описание: IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M8DA-125:K TR

MT41K256M8DA-125:K TR

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K2G4SN-107:A TR

MT41K2G4SN-107:A TR

Описание: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K2G4TRF-125:E TR

MT41K2G4TRF-125:E TR

Описание: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M8HX-187E:D

MT41K256M8HX-187E:D

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K256M8V89CWC1

MT41K256M8V89CWC1

Описание: IC DRAM 2G PARALLEL DIE

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
MT41K2G8KJR-125:A TR

MT41K2G8KJR-125:A TR

Описание: IC DRAM 16G PARALLEL 78FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти