Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Интегральные схемы (ICs) > Память > MT47H64M8CB-3:B TR
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
4181895MT47H64M8CB-3:B TR Image.Micron Technology

MT47H64M8CB-3:B TR

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
1000+
$11.97
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    MT47H64M8CB-3:B TR
  • Изготовитель / Производитель
    Micron Technology
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    MT47H64M8CB-3:B TR.pdf
  • Время цикла записи - слово, страница
    15ns
  • Напряжение тока - поставка
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Технологии
    SDRAM - DDR2
  • Поставщик Упаковка устройства
    60-FBGA
  • Серии
    -
  • упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Упаковка /
    60-FBGA
  • Другие названия
    MT47H64M8CB-3:B TR-ND
    MT47H64M8CB-3:BTR
  • Рабочая Температура
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Тип памяти
    Volatile
  • Размер памяти
    512Mb (64M x 8)
  • Интерфейс памяти
    Parallel
  • Формат памяти
    DRAM
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Подробное описание
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 333MHz 450ps 60-FBGA
  • Тактовая частота
    333MHz
  • Номер базового номера
    MT47H64M8
  • Время доступа
    450ps

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с MT47H64M8CB-3:B TR.
MT47H64M8CF-25E IT:G

MT47H64M8CF-25E IT:G

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
MT47H64M8CB-37V:B TR

MT47H64M8CB-37V:B TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
MT47H64M8CF-25E AIT:G TR

MT47H64M8CF-25E AIT:G TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
MT47H64M8B6-5E:D TR

MT47H64M8B6-5E:D TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
MT47H64M8CB-5E IT:B TR

MT47H64M8CB-5E IT:B TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
MT47H64M8CB-37E:B TR

MT47H64M8CB-37E:B TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
MT47H64M8CB-5E:B TR

MT47H64M8CB-5E:B TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
MT47H64M8CB-25:B TR

MT47H64M8CB-25:B TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
MT47H64M8CF-25E L:G

MT47H64M8CF-25E L:G

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
MT47H64M8CB-3:B

MT47H64M8CB-3:B

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
MT47H64M8CB-5E:B

MT47H64M8CB-5E:B

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
MT47H64M8CB-37E:B

MT47H64M8CB-37E:B

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
MT47H64M8CB-5E IT:B

MT47H64M8CB-5E IT:B

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
MT47H64M8CF-187E:G

MT47H64M8CF-187E:G

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
MT47H64M8CF-25E AIT:G

MT47H64M8CF-25E AIT:G

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
MT47H64M8CB-37E IT:B

MT47H64M8CB-37E IT:B

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
MT47H64M8CF-25E IT:G TR

MT47H64M8CF-25E IT:G TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
MT47H64M8CB-37V:B

MT47H64M8CB-37V:B

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
MT47H64M8CB-25:B

MT47H64M8CB-25:B

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
MT47H64M8CB-37E IT:B TR

MT47H64M8CB-37E IT:B TR

Описание: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Производители: Micron Technology
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.