NAND256W3A2BE06

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

NAND256W3A2BE06
Изготовитель / Производитель

Micron Technology
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IC FLASH 256M PARALLEL WAFER
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

NAND256W3A2BE06.pdf
Время цикла записи - слово, страница

50ns
Напряжение тока - поставка

2.7 V ~ 3.6 V
Технологии

FLASH - NAND
Поставщик Упаковка устройства

-
Серии

-
упаковка

Tray
Упаковка /

-
Рабочая Температура

-40°C ~ 85°C (TA)
Тип установки

Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

3 (168 Hours)
Тип памяти

Non-Volatile
Размер памяти

256Mb (32M x 8)
Интерфейс памяти

Parallel
Формат памяти

FLASH
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Подробное описание

FLASH - NAND Memory IC 256Mb (32M x 8) Parallel 50ns
Время доступа

50ns

Ниже приведены продукты, связанные с NAND256W3A2BE06.

NAND256W3A0BE06

Описание: IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

Производители: Micron Technology

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

NAND256W3A2BE06

Онлайн - запрос

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Расширение производства панеле...

Amazon увеличивает усилия по созда...

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Южная Корея планирует ввести За...

Выберите язык

Текущий язык