1N5519B (DO35)

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

1N5519B (DO35)
Изготовитель / Производитель

Microsemi
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Содержит несоответствие свинца / RoHS
Спецификация

1N5519B (DO35).pdf
Напряжение - Zener (Nom) (Vz)

3.6V
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если

1.1V @ 200mA
Толерантность

±5%
Поставщик Упаковка устройства

DO-35
Серии

-
Мощность - Макс

500mW
упаковка

Bulk
Упаковка /

DO-204AH, DO-35, Axial
Другие названия

1N5519B (DO35)-ND
1N5519B(DO35)
Рабочая Температура

-65°C ~ 175°C
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Сопротивление (Макс) (ZZT)

24 Ohms
Подробное описание

Zener Diode 3.6V 500mW ±5% Through Hole DO-35
Ток - Обратный утечки @ Vr

3µA @ 1V

Ниже приведены продукты, связанные с 1N5519B (DO35).

1N5419

Описание: DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF

Производители: Microsemi Corporation

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

1N5519B (DO35)

Онлайн - запрос

Антропик получает еще 4 миллиард...

Полу: продажи IC увеличиваются на...

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Расширение производства панеле...

Amazon увеличивает усилия по созда...

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

Выберите язык

Текущий язык