APT30N60KC6

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

APT30N60KC6
Изготовитель / Производитель

Microsemi
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

MOSFET N-CH 600V 30A TO-220
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Vgs (й) (Max) @ Id

3.5V @ 960µA
Технологии

MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства

TO-220 [K]
Серии

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 14.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)

219W (Tc)
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-220-3
Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

2267pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs

88nC @ 10V
Тип FET

N-Channel
FET Характеристика

-
Слить к источнику напряжения (VDSS)

600V
Подробное описание

N-Channel 600V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

30A (Tc)

Ниже приведены продукты, связанные с APT30N60KC6.

APT30M40JVR

Описание: MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227

Производители: Microsemi

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

APT30N60KC6

Онлайн - запрос

Антропик получает еще 4 миллиард...

Полу: продажи IC увеличиваются на...

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Расширение производства панеле...

Amazon увеличивает усилия по созда...

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

Выберите язык

Текущий язык