Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > APT35GT120JU3
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
493247APT35GT120JU3 Image.Microsemi

APT35GT120JU3

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Справочная цена (в долларах США)

Быть в наличии
100+
$19.758
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    APT35GT120JU3
  • Изготовитель / Производитель
    Microsemi
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    IGBT 1200V 55A 260W SOT227
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Без свинца / Соответствует RoHS
  • Спецификация
    1.APT35GT120JU3.pdf
    2.APT35GT120JU3.pdf
  • Модель ECAD
  • Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)
    1200V
  • Vce (на) (Max) @ VGE, Ic
    2.1V @ 15V, 35A
  • Поставщик Упаковка устройства
    SOT-227
  • Серии
    -
  • Мощность - Макс
    260W
  • Упаковка /
    ISOTOP
  • Рабочая Температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC термистора
    No
  • Тип установки
    Chassis Mount
  • Уровень чувствительности влаги (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Стандартное время изготовления
    32 Weeks
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    2.53nF @ 25V
  • вход
    Standard
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Подробное описание
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 260W Chassis Mount SOT-227
  • Ток - Коллектор Граничная (Макс)
    5mA
  • Ток - коллектор (Ic) (Макс)
    55A
  • конфигурация
    Single

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip объявляет о 500 увольнениях,...

2024/12/4

Quanta: AI -спрос продолжает остават...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung значительно снижает исполь...

2024/12/2

Vishay инвестирует 51 миллион фунто...

2024/11/29
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с APT35GT120JU3.
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Описание: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
APT36GA60B

APT36GA60B

Описание: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
APT37F50B

APT37F50B

Описание: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Описание: IGBT 900V 63A 290W TO247

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
APT35SM70S

APT35SM70S

Описание: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Описание: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
APT35GA90B

APT35GA90B

Описание: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
APT38F50J

APT38F50J

Описание: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Описание: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
APT35SM70B

APT35SM70B

Описание: MOSFET N-CH 700V TO247

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Описание: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
APT35GP120J

APT35GP120J

Описание: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Описание: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Описание: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
APT37M100L

APT37M100L

Описание: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Описание: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
APT37F50S

APT37F50S

Описание: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
APT37M100B2

APT37M100B2

Описание: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Описание: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Описание: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиНовостиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.