APT75GN60B2DQ3G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

APT75GN60B2DQ3G
Изготовитель / Производитель

Microsemi
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT 600V 155A 536W TO264
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

1.85V @ 15V, 75A
режим для испытаний

400V, 75A, 1 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C

47ns/385ns
Переключение энергии

2500µJ (on), 2140µJ (off)
Поставщик Упаковка устройства

-
Серии

-
Мощность - Макс

536W
упаковка

Tube
Упаковка /

TO-264-3, TO-264AA
Рабочая Температура

-
Тип установки

Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Тип ввода

Standard
Тип IGBT

-
Заряд затвора

485nC
Подробное описание

IGBT 600V 155A 536W Through Hole
Ток - Коллектор Импульсные (ICM)

225A
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

155A

Ниже приведены продукты, связанные с APT75GN60B2DQ3G.

APT75DQ120BG

Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247

Производители: Microsemi

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

APT75GN60B2DQ3G

Онлайн - запрос

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Расширение производства панеле...

Amazon увеличивает усилия по созда...

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Южная Корея планирует ввести За...

Выберите язык

Текущий язык