APTGT100A120D1G

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com

Запрос онлайн

Спецификация

Тип продуктов

APTGT100A120D1G
Изготовитель / Производитель

Microsemi
Количество запасов

Быть в наличии
Описание

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Без свинца / Соответствует RoHS
Спецификация

APTGT100A120D1G.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс)

1200V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic

2.1V @ 15V, 100A
Поставщик Упаковка устройства

D1
Серии

-
Мощность - Макс

520W
Упаковка /

D1
Рабочая Температура

-
NTC термистора

No
Тип установки

Chassis Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL)

1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Cies) @ Vce

7nF @ 25V
вход

Standard
Тип IGBT

Trench Field Stop
Подробное описание

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 150A 520W Chassis Mount D1
Ток - Коллектор Граничная (Макс)

3mA
Ток - коллектор (Ic) (Макс)

150A
конфигурация

Half Bridge

Ниже приведены продукты, связанные с APTGT100A120D1G.

APTGLQ50TL65T3G

Описание: POWER MODULE - IGBT

Производители: Microsemi

Быть в наличии

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Предварительная регистрация

APTGT100A120D1G

Онлайн - запрос

Антропик получает еще 4 миллиард...

Полу: продажи IC увеличиваются на...

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

Последняя кремниевая оптическа...

Индустрия восстанавливается ме...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Поставщик: большое количество к...

Тайвань, выходной стоимость пол...

Расширение производства панеле...

Amazon увеличивает усилия по созда...

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

Выберите язык

Текущий язык