Для посетителей в Electronica 2024

Забронируйте свое время!

Все, что нужно, это несколько кликов, чтобы зарезервировать свое место и получить билет на стенд

Зал C5 стенд 220

Предварительная регистрация

Для посетителей в Electronica 2024
Вы все зарегистрируетесь! Спасибо, что назначили встречу!
Мы отправим вам билеты на стенд по электронной почте, как только мы подтвердим ваше бронирование.
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Диоды - выпрямители - сингл > JAN1N6622US
RFQs/ORDER (0)
русский
русский
1495460

JAN1N6622US

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все необходимые поля с вашей контактной информацией. Нажмите «Отправить RFQ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время по электронной почте.Или напишите нам:info@ftcelectronics.com
Запрос онлайн
Спецификация
  • Тип продуктов
    JAN1N6622US
  • Изготовитель / Производитель
    Microsemi
  • Количество запасов
    Быть в наличии
  • Описание
    DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
  • Статус бесплатного свидания / Статус RoHS
    Содержит несоответствие свинца / RoHS
  • Напряжение - Пиковое обратное (Макс)
    Standard
  • Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если
    1.2A
  • Напряжение - Разбивка
    D-5A
  • Серии
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • Статус RoHS
    Bulk
  • Обратное время восстановления (ТИР)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Сопротивление @ Если, F
    10pF @ 10V, 1MHz
  • поляризация
    SQ-MELF, A
  • Другие названия
    1086-19963
    1086-19963-MIL
  • Рабочая температура - Соединение
    30ns
  • Тип установки
    Surface Mount
  • Уровень влажности (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Номер детали производителя
    JAN1N6622US
  • Расширенное описание
    Diode Standard 660V 1.2A Surface Mount D-5A
  • Диод Конфигурация
    500nA @ 660V
  • Описание
    DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
  • Ток - Обратный утечки @ Vr
    1.4V @ 1.2A
  • Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode)
    660V
  • Емкостной @ В.Р., F
    -65°C ~ 150°C

Сообщается, что Kioxia получит одоб...

2024/11/21

Последняя кремниевая оптическа...

2024/11/20

Индустрия восстанавливается ме...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Поставщик: большое количество к...

2024/11/18

Тайвань, выходной стоимость пол...

2024/11/17

Расширение производства панеле...

2024/11/15

Amazon увеличивает усилия по созда...

2024/11/14

Чистая прибыль Пегатрона в 3 ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Южная Корея планирует ввести За...

2024/11/13
Перевозки
Оплата
Ниже приведены продукты, связанные с JAN1N6622US.
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Описание: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

Описание: TVS DIODE 14CDIP

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
JAN1N6623U

JAN1N6623U

Описание: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Описание: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
JAN1N6624

JAN1N6624

Описание: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
JAN1N6621

JAN1N6621

Описание: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
JAN1N6626

JAN1N6626

Описание: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
JAN1N6623US

JAN1N6623US

Описание: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
JAN1N6620

JAN1N6620

Описание: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
JAN1N6622

JAN1N6622

Описание: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Описание: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Описание: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
JAN1N6624US

JAN1N6624US

Описание: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
JAN1N6624U

JAN1N6624U

Описание: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Описание: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
JAN1N6623

JAN1N6623

Описание: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
JAN1N6625US

JAN1N6625US

Описание: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Производители: Microsemi
Быть в наличии
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

Описание: TVS DIODE 14CDIP

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
JAN1N6625U

JAN1N6625U

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
JAN1N6625

JAN1N6625

Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Производители: Microsemi Corporation
Быть в наличии
RFQ
Будучи единственным публичным дистрибьютором открытого рынка, мы обладаем уникальным сочетанием глобального доступа, экспертизы производственной отрасли и проверенного качества.При этом мы можем создать индивидуальные, сквозные решения для цепочки поставок для компонентов электроники поставки и управления запасами.
Следить за нашим сайтом
Условия и условияПолитика нарушенияЗапрос цитатыО насСвязаться с намиКарта сайта

Выберите язык

Нажмите на пространство, чтобы выйти

Текущий язык

Выберите свою страну или регион.